不止于HBM4 三星将研发2款全新HBM:2.8倍性能 功耗不变

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2月12日消息,AI发展对高性能存储芯片HBM的需求极高,引发本轮内存大涨价的核心原因就是HBM需求高涨导致三星等公司将产能转向HBM。

三星之前在HBM上被SK海力士、美光抢了先,但在HBM4时代他们追上来了,日前宣布正式量产,但他们不会止步于此,还在研发2款加强版HBM芯片,分别叫做cHBM及zHBM。

在日前的韩国SEMICON 2026会议上,三星设备解决方案(DS)部门总裁兼首席技术官Song Jae-hyuk发表了主题演讲,介绍了三星未来的HBM技术路线图。

他表示三星是唯一涵盖存储芯片、代工和封装的IDM集成制造商,该公司计划通过设计、工艺、内存和封装的集成解决方案实现技术领先。

三星正在开发的新一代HBM技术,其中cHBM是三星定制(custom)的HBM技术,将让Base Die基础核心负责一部分原来GPU要处理的工作,实现了2.8倍的性能,同时HBM功耗不变。

zHBM技术的细节没有公布太多,从Song Jae-hyuk的描述来看,应该是晶圆键合级别的HBM,有可能跟前几天Intel联合软银开发的ZAM内存技术方向类似。

从三星的表态来看,HBM发展到现在虽然性能已经很强,但是AI对算力的要求是无止境的,而且功耗问题不得不考虑了,cHBM及zHBM通过定制及更复杂的封装有望实现更高的性能,同时降低功耗。